Полупроводниковые нанокластеры в матрице пленок Ленгмюра – Блоджетт.
Л. Л. Свешникова, С. М. Репинский, А. К. Гутаковский, А. Г. Милехин, Л. Д. Покровский
Институт физики полупроводников СО РАН,
пр-т Акад. Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия)
Аннотация
На основе термодинамического анализа описан процесс образования полупроводниковых нанокластеров при сульфидировании слоев Ленгмюра – Блоджетт бегенатов кадмия, свинца и цинка. Методами УФ-, ИК-, КРС-спектроскопии, ВРЭМ и электронографии показано, что нанокластеры сульфидов имеют размеры 3–6 нм, а также установлено наличие локализованных поверхностных мод, характерных для полупроводниковых квантовых точек.
|
