Принципы дизайна неорганических ацентричных материалов.
Б. И. Кидяров, В. И. Косяков*
Институт физики полупроводников СО РАН, пр-т Акад. Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия) *Институт неорганической химии СО РАН, пр-т Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия)
Аннотация
Рассмотрены основные принципы химического дизайна, включающего поиск новых оксидных кристаллов с высокими пьезоэлектрическими свойствами. Составлена сводка и проведен системный анализ этих свойств для простых, бинарных и тернарных оксидных кристаллов на основе ключевого критерия: совокупности длин химических связей для каждого компонента оксидного соединения. Предложена феноменологическая модель поиска и классификации эффективных ацентричных материалов диэлектроники.
|