Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Биологическое действие низкоинтенсивного лазерного излучения: пути регуляции растительного метаболизма. Ч. 2

1999 год, номер 4

Структурная неустойчивость одномерных систем как основа физического принципа функционирования устройств молекулярной электроники.

Ю. Г. Кригер
Подраздел: ОБЗОРЫ

Аннотация

В статье предлагается и анализируется возможность использования явления структурной неустойчивости в одномерных проводящих молекулярных системах в качестве физического принципа функционирования устройств молекулярной электроники. Рассматриваются теоретические основы данного явления, с точки зрения молекулярной электроники анализируются условия и параметры, определяющие его характеристики. Приводятся данные об одномерных молекулярных структурах, представляющих интерес для построения электронных устройств. Рассматриваются особенности структурной неустойчивости и анализируются возможности статического и динамического управления проводимостью одномерных систем. Приводятся примеры молекулярных структур гипотетических электронных устройств. Обсуждаются возможности и перспективы данного подхода в развитии молекулярной электроники.