Квантовохимическое описание локальных электронных состоянии в кристаллах. Карбид и нитрид титана.
М. В. Рыжков, А. Л. Ивановский
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Аннотация
С использованием кластерного метода ДВ выполнены расчеты электронного строения 63- и 219 - aтoмныx кластеров в ТiС в TiN. Рассмотрены новые возможности моделирования граничных условий кластера в кристалле. Для расчета эффективных зарядов на атомах применена новая методика интегрирования электронной плотности по пространству между ядрами.
|