"Моделирование спектра излучения молекулы SiH (A2Δ → X2Π) и измерение вращательной температуры состояния A2Δ в электронно- пучковой плазме"
Е. А. Баранов, С. Я. Хмель
Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, 630090 Новосибирск
Страницы: 3-11
Аннотация
Выполнено численное моделирование
эмиссионного спектра полосы 0–0 перехода
A2Δ → X2Π молекулы
SiH. Полученные результаты хорошо
согласуются с известными расчетными и
экспериментальными данными. Путем
сравнения расчетного и
экспериментального спектров определена
вращательная температура состояния
A2Δ молекулы SiH в свободной
струе чистого моносилана
(SiH4) и смеси с гелием
(He+SiH4), активированной
электронным пучком. Подтверждено
предположение о том, что излучение
молекулы SiH возникает в результате
диссоциативного возбуждения
SiH4 электронным ударом.
Приведены значения вращательной
температуры при различных концентрациях
моносилана и расстояниях от сопла. В
полученных спектрах зарегистрировано
излучение иона кремния с длинами волн
412,807; 413,089 нм.
|