Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

:
:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть- теллур/ отв. редактор А. Л. Асеев

Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2012 г., 258 с., Тираж 530, ISBN 978-5-7692-1226-0

Представлены результаты комплекса работ Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по разработке фотоприемных устройств на основе эпитаксиальной системы кадмий—ртуть— теллур (КРТ) от технологии молекулярно- лучевой эпитаксии (МЛЭ) КРТ на подложках ориентации (301) из GaAs и Si и фотоприемных устройств (ФПУ) на основе эпитаксиального КРТ до создания оптико- электронных устройств на основе ФПУ ГЭС КРТ МЛЭ. В технологических разработках широко использована эллипсометрия для исследования процессов, происходящих на поверхности при МЛЭ КРТ, и для контроля in situ процесса роста слоев КРТ. Интенсивное применение сканирующих зондовых методов, таких как СТМ и АСМ, а также электронно-микроскопических методов ПЭМ и ВРЭМ, позволило получить новую информацию о процессах эпитаксиального роста и механизмах формирования прорастающих дефектов и антифазных доменов. Представлены результаты выращивания квантовых ям на основе КРТ. В квантовых ямах на основе HgTe наблюдается квантовый эффект Холла, двумерный электронный газ имеет высокую подвижность — Ој ≈ 5 x 105 см2/(ВВ·с), что свидетельствует о высоком качестве пленок КРТ, выращиваемых методом МЛЭ. Книга представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой фотоэлектронике — научных сотрудников, работников предприятий отрасли, студентов и аспирантов.

460 руб В корзину