РЕАЛИЗАЦИЯ ТЕРАГЕРЦОВЫХ ФИЛЬТРОВ ВЫСОКИХ ЧАСТОТ НА ОСНОВЕ ЦЕЛЬНОМЕТАЛЛИЧЕСКИХ МИКРОСТРУКТУР С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЛУБОКОЙ РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИИ
А.Н. Генцелев1, С.А. Кузнецов1,2,3, Ф.Н. Дульцев3,4, Б.Г. Гольденберг1, А.Г. Зелинский5, В.И. Кондратьев1, Д.С. Таныгина2,6
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 11
ang1209@mail.ru
2Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 2/1
3Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
4Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
5Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН, 630128, г. Новосибирск, ул. Кутателадзе, 18
6Дальневосточный федеральный университет, 690091, г. Владивосток, ул. Суханова, 8
Ключевые слова: Глубокая рентгеновская литография, LIGA-технология, микроструктуры, квазиоптические фильтры, терагерцовый диапазон, deep X-ray lithogrphy, LIGA technology, microstructures, quasioptical filters, terahertz range
Страницы: 14-27
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Описывается методика создания квазиоптических фильтров высоких частот терагерцового диапазона на базе толстых (толщиной до 1 мм) самонесущих медных микроструктур субволновой топологии. Методика основана на рентгенолитографическом формировании высокоаспектной резистивной маски из рентгенорезиста SU-8 на кремниевой подложке с использованием вольфрамового рентгеношаблона и последующим гальваническим выращиванием медного слоя через резистивную маску. Рассмотрен пример структуры толщиной 212 мкм с частотой отсечки 0,42 ТГц, имеющей топологию гексагонально упакованных отверстий шестиугольной формы. Представлены результаты широкополосной ТГц-характеризации полученной структуры и её электродинамического анализа.
DOI: 10.15372/AUT20190202 |
