Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.222.10.9
    [SESS_TIME] => 1713585259
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 761ebedb722df9e0eaa10f2871153116
    [UNIQUE_KEY] => c2fafa331ec97fd6f014a79cfc1d7e75
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2018 год, номер 5

ИССЛЕДОВАНИЕ УПРУГИХ СВОЙСТВ ПОДВЕШЕННЫХ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУР GaAs/AlGaAs С ПОМОЩЬЮ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ

Е.Ю. Жданов1,2, А.Г. Погосов1,2, Д.А. Похабов1,2, М.В. Буданцев1, А.С. Кожухов1, А.К. Бакаров1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
zhdanov@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
pogosov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, наноэлектромеханические системы, подвешенные наноструктуры, GaAs/AlGaAs, atomic power macroscopy, nanoelectromechanical systems, suspended nanostructures, GaAs/AlGaAs
Страницы: 87-93
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Демонстрируется применимость атомно-силовой микроскопии к исследованию упругих свойств подвешенных полупроводниковых структур на основе относительно толстых мембран GaAs/AlGaAs в условиях, когда исследуемая жёсткость существенно превышает жёсткость кантилевера атомно-силового микроскопа, что подтверждается соответствием экспериментально определённых значений как относительной, так и абсолютной жёсткости, измеренной в разных точках структуры, теоретическим значениям.

DOI: 10.15372/AUT20180511
Скачать pdf-версию статьи