Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.60.166
    [SESS_TIME] => 1713906051
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 9f75b74880a0d3345f53c8a8483259eb
    [UNIQUE_KEY] => 6ed69589b9741d9c519d46522a3feeca
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2018 год, номер 2

ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GaAs НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GaAs/Si

Д.С. Абрамкин1,2, М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, А.В. Васев1, М.Ю. Есин1, И.Д. Лошкарев1, А.К. Гутаковский1,2, В.В. Преображенский1, Т.С. Шамирзаев1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
demid@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Новосибирск, ул. Пирогова, 2
gut@isp.nsc.ru
3Уральский федеральный университет, 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19
tim@isp.nsc.ru
Ключевые слова: эпитаксия, низкотемпературный GaAs, дислокационный фильтр, epitaxy, low-temperature GaAs, dislocation filter
Страницы: 85-92
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.

DOI: 10.15372/AUT20180210
Скачать pdf-версию статьи