СВЕРХТОНКИЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AIIIBV/Ge
Н.А. Паханов1, О.П. Пчеляков1, В.М. Владимиров2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
pakhanov@isp.nsc.ru
2ООО «Научно-производственная фирма "Электрон''», 660036, г. Красноярск, Академгородок, стр. 50
vlad@ksc.krasn.ru
Ключевые слова: сверхтонкие солнечные элементы на основе AB/Ge, гетероструктуры AB/Ge, солнечные элементы на основе AB/GaInAs, superthin solar cells on the basis of AB/Ge, AB heterostructures, solar cells on the basis of AB/GaInAs
Страницы: 106-110
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
Проведён сравнительный анализ перспектив создания супертонких, лёгких и высокоэффективных солнечных элементов на гетероструктурах AIIIBV/InGaAs и AIIIBV/Ge. Обсуждаются технологические проблемы и перспективы каждого варианта. Предложен метод утонения гетероструктур AIIIBV/Ge с помощью эффективного временного технологического носителя, который позволяет проводить процесс практически без риска разрушения гетероструктуры, утонять Ge-каскад до нескольких десятков (даже единиц) микрон и существенно увеличить процент выхода годных приборов, а также удобно и надёжно переносить утонённые солнечные элементы на произвольную лёгкую и гибкую подложку. Такая технология открывает возможность создания высокоэффективных тонких и лёгких солнечных элементов для космических аппаратов на массово производимых в настоящее время гетероструктурах AIIIBV/Ge.
DOI: 10.15372/AUT20170613 |
