Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2017 год, номер 4

Радиационные центры в различных модификациях диоксида кремния

С.И. КУЗИНА, А.И. МИХАЙЛОВ
Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка Московской обл., Россия
alfaim@icp.ac.ru
Ключевые слова: диоксид кремния, радиолиз, парамагнитные центры
Страницы: 399-411

Аннотация

Методом электронного парамагнитного резонанса исследован низкотемпературный (77 К) радиолиз различных модификаций диоксида кремния: макропористых стекол (МПС) с диаметром пор 2000 и 1500 Е, обычного натриевого стекла и плавленого кварца. Показано, что парамагнитные центры в различных модификациях SiO2 могут существенно различаться в зависимости от происхождения, наличия примесей, условий обработки и радиационной активации образцов. Основными парамагнитными центрами в γ-облученном SiO2 являются дырочные центры на атомах кислорода и кремния и электронные центры на атомах кремния и ионах щелочных металлов: их вклад в стеклах составляет 90-95 %, в кварце - примерно 70 %. Количество радикальных центров во всех диоксидах кремния (Н., Si., >Si.-H) не превышало 3-4 %, радиационный выход атомарного водорода GH = 0.02-0.4 на 100 эВ. При разогреве облученных образцов в атмосфере кислорода зафиксированы спектры радикалов НО2 и макрорадикалов SiO2. По данным квантово-химических расчетов, дублет с расщеплением αН = 12.5 мТл, регистрируемый при разогреве облученных МПС и кварца, принадлежит формильным радикалам, которые образуются за счет реакции самогидрирования природной примеси СО в диоксидах кремния. Дублет с αН = 1.0 мТл, g = 2.002 отнесен к дырочным центрам -Si+(ОН)Н на поверхностных атомах кремния, содержащих гидроксильные группы и атом Н.

DOI: 10.15372/KhUR20170406
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину