Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.203.235.24
    [SESS_TIME] => 1711634699
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7a5ec5a998b30c023af8164c6504dd33
    [UNIQUE_KEY] => 90d5af0091e172458014b3614352cc3d
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2017 год, номер 5

ЭЛЕКТРОННЫЕ ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ С ЗАМЕЩЕНИЯМИ

А.И. Романенко1,2, Г.Е. Яковлева1, В.Е. Фёдоров1,3, А.Ю. Леднева1, В.А. Кузнецов1, А.В. Сотников1, А.Р. Цыганкова1,3, Б.М. Кучумов1
1Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
air@niic.nsc.ru
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: слоистые халькогениды переходных металлов, электропроводность, термоэдс, layered transition metal chalcogenides, electrical conductivity, Seebeck coefficient
Страницы: 932-939

Аннотация

Исследованы температурные зависимости электропроводности в интервале 4,2-300 K и термоэдс при комнатной температуре объемных образцов из поликристаллов дихалькогенидов вольфрама с замещениями вольфрама на ниобий и серы на селен - W1- x Nb x (S1- y Se y )2. Обнаружена двумеризация электронных транспортных свойств при содержании ниобия x ³ 0,1 в W1- x Nb x S2 и x ³ 0,05 в W1- x Nb x Se2. В образцах с дополнительным частичным замещением серы на селен электронный транспорт остается трехмерным. Термоэдс при комнатной температуре (при равных значениях электропроводности) в образцах с квазидвумерным транспортом в несколько раз выше, чем в образцах с трехмерным транспортом; расчет фактора мощности при комнатной температуре показывает его увеличение в 9 раз.

DOI: 10.15372/JSC20170506