Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.74.54
    [SESS_TIME] => 1713564559
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => c030dade85f52adacdcee2629c120ada
    [UNIQUE_KEY] => 29b6eade34096b91172b68b5a91ce679
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2017 год, номер 3

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ БУФЕРНЫХ СЛОЁВ BaF2/CaF2 НА ПОДЛОЖКЕ Si(100) ДЛЯ МОНОЛИТНЫХ ФОТОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВ

Н.И. Филимонова, В.А. Илюшин, А.А. Величко
Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
ninafilimonova@ngs.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, фторид кальция, фторид бария, кремний, буферный слой, АСМ, морфология поверхности, molecular beam epitaxy, calcium fluoride, barium fluoride, silicon, buffer layer, AFM, surface morphology
Страницы: 117-124
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных плёнок BaF2, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в различных режимах роста на поверхности CaF2/Si(100), проведено методом атомно-силовой микроскопии. Слои CaF2 получены на подложке Si(100) в низкотемпературном режиме роста (Ts = 500 oС). Определены технологические режимы роста сплошных с гладкой поверхностью плёнок BaF2 на СaF2/Si(100), пригодных в качестве буферных слоёв для последующего роста слоёв PbSnTe или других полупроводников типа А4В6 и твёрдых растворов на их основе.

DOI: 10.15372/AUT20170315
Скачать pdf-версию статьи