Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2017 год, номер 1

СТОХАСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ДВУМЕРНЫХ И ТРЁХМЕРНЫХ НЕОДНОРОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Ч. I. СТОХАСТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ И АЛГОРИТМЫ

К.К. Сабельфельд, А.Е. Киреева
Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 6
karl@osmf.sscc.ru
Ключевые слова: рекомбинация, полупроводник, диффузия, туннелирование, стохастическое моделирование, клеточный автомат, recombination, semiconductor, diffusion, tunneling, stochastic simulation, cellular automation
Страницы: 117-124
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ

Аннотация

Представлены стохастические модели рекомбинации электронов и дырок в неоднородном полупроводнике в двумерном и трёхмерном случаях, разработанные на основе двух подходов: дискретного (клеточный автомат) и непрерывного (метод Монте-Карло). Описана математическая модель рекомбинации электронов и дырок, построенная на базе системы неоднородных по пространству нелинейных интегродифференциальных уравнений типа Смолуховского. Изложены непрерывный алгоритм метода Монте-Карло и дискретный клеточно-автоматный алгоритм, использующиеся для моделирования рекомбинации частиц в полупроводнике.

DOI: 10.15372/AUT20170114
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину