Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 3

ЭФФЕКТЫ БЛИЗОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ЛИТОГРАФИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Е.Е. Родякина1,2, К.А. Конфедератова1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
rodyakina@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
kseniya.konfederatova@gmail.com
Ключевые слова: фотонные кристаллы, электронно-лучевая литография, наноструктурирование, photonic crystals, electron beam lithography, nanostructuring
Страницы: 93-99
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Рассмотрены эффекты близости при формировании фотонных кристаллов в виде упорядоченных массивов однородных по размеру отверстий радиусом 100 нм методами электронно-лучевой литографии. Экспериментально определены коэффициенты функции близости, характеризующей вклад обратнорассеянных и вторичных электронов в дозу экспонирования. Показано, что минимальное стандартное отклонение от среднего значения радиуса элементов в массиве достигается коррекцией эффекта близости с использованием коэффициентов, полученных экспериментально, и итерационного уравнения с увеличенным вкладом от обратнорассеянных электронов.

DOI: 10.15372/AUT20160312
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину