Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 3

ЗАРОЖДЕНИЕ ДВУМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ Si ВБЛИЗИ МОНОАТОМНОЙ СТУПЕНИ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)- (7 x 7)

Д.И. Рогило1, Н.Е. Рыбин1,2, С.С. Косолобов1, Л.И. Федина1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
rogilo@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
n.seryh@gmail.com
Ключевые слова: кремний, эпитаксиальный рост, двумерные островки, атомные ступени, критический зародыш, поверхностная диффузия, отражательная электронная микроскопия, silicon, epitaxial growth, two-dimensional islands, atomic steps, critical nucleus, surface diffusion, reflection electron microscopy
Страницы: 86-92
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения 2D -островков вблизи моноатомной ступени на начальной стадии роста Si на поверхности Si(111)-(7 x 7). Зависимость ширины зоны обеднения W вблизи ступени, где островки не зарождаются, от скорости осаждения R подчиняется соотношению W2 ∞ R с показателем χ = 1,18 и χ = 0,63 при температурах 650 и 680°C соответственно. Показано, что изменение χ связано со структурой ступени, обеспечивающей смену кинетики роста от лимитированной встраиванием адатомов в ступень к лимитированной их диффузией. Конкуренция процессов зарождения и стока в ступень приводит к увеличению размера критического зародыша частицы от i = 1 вдали от ступени до i = 3-5 вблизи неё и i = 6-8 на террасе критической ширины для 2D-зарождения.

DOI: 10.15372/AUT20160311
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину