ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГИИ ФОРМИРОВАНИЯ В НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ДИХАЛЬКОГЕНИДАХ MX2 (М = Nb, Mo, W; X = Se, Te)
И.Р. Шеин, В.В. Банников, А.Н. Еняшин
Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Россия, Екатеринбург, ул.Первомайская, 91
shein@ihim.uran.ru
Ключевые слова: дихалькогениды переходных металлов, электронная структура, энергия образования дефектов, transition metal dichalcogenides, electronic structure, energy of the defect formation
Страницы: 298-303
Аннотация
Методами теории функционала электронной плотности (DFT) получены результаты по электронной структуре, параметрам химической связи, энергиям формирования фаз и образования собственных дефектов по подрешеткам металлов и неметаллов для дихалькогенидов MX2 (M = Nb, Mo, W; X = Se, Te). Для соединений с Te в ряду Nb-Mo-W с увеличением атомного номера происходит монотонное уменьшение зарядов на атомах металла и неметалла, но для соединений с Se данный порядок нарушается. Так же с увеличением порядкового номера металла для соединений с Se и Те уменьшается стабильность фаз. Энергии образования вакансий по обеим подрешеткам для данных систем имеют немонотонный характер. Для систем MX2 (M = Mo,W; X = Se, Te) образование вакансий по подрешетке халькогена приводит к переходу диэлектрик-металл, а вакансии по металлической подрешетке уменьшают величину запрещенной щели.
DOI: 10.15372/JSC20160206 |
