Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2015 год, номер 3

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3

А.Н. Чибисов
Вычислительный центр Дальневосточного отделения РАН, 680000 Россия, Хабаровск, ул. Ким Ю Чена, 65
andreichibisov@yandex.ru
Ключевые слова: ab initio расчеты, образование дефектов, структурные свойства
Страницы: 484-486
Подраздел: КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ

Аннотация

Методом функционала электронной плотности исследовано образование точечных дефектов по Шоттки в керамике MgSiO3. Показано, что образование вакансии Mg в положении Mg2 почти на 1 эВ выгоднее, чем в положении Mg1. Наибольшей энергией образования обладает вакансия кремния. Наиболее энергетически выгодным дефектом является вакансия кислорода в положении O3 в решетки энстатита. Приведены результаты по влиянию вакансий атомов на структурные свойства MgSiO3.

DOI: 10.15372/JSC20150307