Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2015 год, номер 2

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОГРАНИЧЕНИЙ В КРЕМНИЕВЫХ СХЕМАХ СЧИТЫВАНИЯ СИГНАЛОВ ИНФРАКРАСНЫХ ФОТОПРИЁМНИКОВ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
demyanenko@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремниевый мультиплексор, схема считывания фототоков, многоэлементный инфракрасный фотоприёмник, фотодетектор на основе многослойных структур с квантовыми ямами
Страницы: 110-118
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Представлены физико-технические принципы создания кремниевых мультиплексоров (КМ) для считывания и предварительной обработки фотосигналов детекторов инфракрасного спектрального диапазона 8–14 мкм. Проведена оценка эквивалентной шуму разности температур фотоприёмников длинноволнового инфракрасного спектрального диапазона на основе КМ с кадровым накоплением сигналов многослойных структур с квантовыми ямами (МСКЯ). Проанализированы особенности влияния технологических ограничений в кремниевых схемах считывания фотосигналов на характеристики ИК-фотоприёмников в широком диапазоне параметров фотодетекторов на основе МСКЯ и проектных норм КМОП–технологии изготовления КМ.