Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2014 год, номер 6

КАЧЕСТВЕННОЕ ОПИСАНИЕ ТРАНСФОРМАЦИИ ТЕРМИЧЕСКИХ МАГНИТОСТРУКТУРНЫХ ПЕРЕХОДОВ В ЦЕПОЧКЕ ОБМЕННЫХ КЛАСТЕРОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО ДАВЛЕНИЯ

В.А. Морозов1,2
1Международный томографический центр СО РАН, 630090 Россия, Новосибирск, ул. Институтская, 3а
moroz@tomo.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090 Россия, Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: молекулярные магнетики, обменный кластер, спин-кроссовер, магнитоструктурные переходы, эффективный магнитный момент
Страницы: 1088-1094
Подраздел: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Аннотация

Показано, что магнитоструктурные переходы в модельной цепочке обменных кластеров обладают сильной чувствительностью к вариации исходных обменных интегралов модели. Теоретически исследованы случаи трехспиновых цепочек (модель полимерных цепочек обменных кластеров семейства соединений "дышащие кристаллы" с мотивом "голова-голова") и двухспиновых цепочек (модель таких цепочек с мотивом "голова-хвост"). Изменение обменных интегралов под действием внешнего давления может существенно модифицировать термическую зависимость магнитоструктурных и магниторезонансных свойств "дышащих кристаллов", что делает актуальными экспериментальные исследования в этом направлении. Ожидается, что зависимость этих свойств от внешнего давления в "дышащих кристаллах" будет иметь более сложный и многообразный вид, чем обычный высокотемпературный сдвиг в традиционных спин-кроссоверных соединениях на основе комплексов железа. Качественно описаны некоторые конкурирующие физические факторы, способные приводить к такому многообразию. Модельные расчеты показывают, что помимо температурного сдвига приложение внешнего давления к "дышащим кристаллам" может приводить к смене низкотемпературного предела эффективного магнитного момента обменных кластеров этих соединений.