Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

1.
ФОРМИРОВАНИЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Si И Ge/ GexSi1 - x/Si МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, С.А. Тийс, О.П. Пчеляков
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
nikif@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кремний, германий, твёрдый раствор, плёнки, квантовые точки, реконструкция, дифракция быстрых электронов, энергия активации, hut-островки, dome-островки
Страницы: 5-12
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Методами дифракции быстрых электронов и сканирующей электронной микроскопии построена кинетическая диаграмма роста Ge на Si. Определены энергии активации морфологических переходов от двумерного к трёхмерному росту и от hut-кластеров к островкам dome-типа. Кривая, соответствующая 2D–3D-переходу, имеет два участка, подчиняющиеся закону Аррениуса и относящиеся к различным механизмам двумерного роста: двумерно-островковому в области температур 300-525 ºС с энергией активации –0,11 эВ и движению ступеней в диапазоне 525–700 ºС с энергией активации 0,15 эВ. Наблюдались также переходы от hut-островков к dome-островкам. Кривая, построенная для перехода hut-dome, аппроксимируется двумя экспонентами, которые подчиняются закону Аррениуса. В области температур 350-550 ºС энергия активации перехода hut-dome равна 0,11 эВ, а в диапазоне 550-700 ºС энергия активации 0,24 эВ. Максимальная плотность островков при росте Ge на слое Gex Si1 - x достигает 4 · 1011 см-2. Увеличение состава приводит к повышению плотности островков Ge вследствие уменьшения длины миграции адатомов Ge по поверхности GexSi1 - x в сравнении с ростом Ge на Si. Периодичность N, проявляющаяся в сверхструктуре (2 · N ), при реконструкции понижается с 14 до 8 с увеличением содержания Ge в слое Gex Si1 - x . Рост толщины или температуры приводит к уменьшению периодичности и свидетельствует в пользу сегрегации Ge, при этом происходит релаксация напряжений, которая снижает коэффициент диффузии Ge.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


2.
ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ ПЛЁНОК AIIIBV НА ВИЦИНАЛЬНЫХ ПОДЛОЖКАХ Si(001)

Е.А. Емельянов1, Д.Ф. Феклин1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, А.К. Гутаковский1, В.А. Селезнев1, А.П. Василенко1, Д.С. Абрамкин1, О.П. Пчеляков1, В.В. Преображенский1, N. Zhicuan2, N. Haiqiao2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
e2a@nsc.ru
2Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, 100083, N A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing, China
zcniu@semi.ac.cn
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, Si
Страницы: 13-24
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены плёнки GaAs на подложках Si, отклонённых от плоскости (001) на 6º в направлении [110]. Плёнки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Условиями формирования подслоя As и первого монослоя GaP на поверхности Si задавалась ориентация плёнок GaAs (001) или (00¯1). Процессы подготовки поверхности подложки Si, формирования подслоя As, эпитаксиальных слоёв GaP и GaAs контролировались методом дифракции быстрых электронов на отражение. Проведены исследования выращенных структур методами рентгеновской дифрактометрии, атомно-силовой микроскопии, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и низкотемпературной фотолюминесценции. Показано, что от ориентации эпитаксиальной плёнки зависит как характер рельефа её поверхности, так и её кристаллические свойства. Получена интенсивная фотолюминесценция от структуры с квантовыми ямами In0,17Ga0,83As, выращенной на буферном слое GaAs/Si.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


3.
ДИСЛОКАЦИИ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ НА ПОДЛОЖКАХ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ

Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, А.В. Колесников
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
sidorov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероэпитаксиальные структуры CdTe/ZnTe/GaAs(301) и CdTe/ZnTe/Si(301), механизм зарождения, дислокации, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 25-33
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Эллипсометрическим исследованием in situ установлены различные механизмы начальных стадий выращивания ZnTe на подложках GaAs(301) и Si(301) методом молекулярно-лучевой эпитаксии: на подложках GaAs(301) рост с самого начала происходит послойно, тогда как на подложках Si(301) начинается с формирования трёхмерных зародышей. Согласно расчётам дислокации несоответствия (ДН) вводятся в плёнку ZnTe на стадии формирования первых монослоёв. В результате введения ДН решётка плёнки разворачивается относительно решётки подложки, что подтверждается рентгеновскими измерениями. Прорастающие участки ДН в гетероструктурах CdTe/ZnTe/GaAs(301) и CdTe/ZnTe/Si(301) исследованы с помощью селективного травления. Установлено, что дислокационные ямки травления имеют различную форму, что указывает на существование различных типов прорастающих дислокаций. При послойном травлении наблюдалось увеличение плотности дислокаций вглубь плёнки CdTe, что свидетельствует об аннигиляции дислокаций в процессе роста плёнок CdTe. Скорость аннигиляции выше в плёнках, выращенных на GaAs(301), чем на Si(301). Возможно, это связано с более высокой подвижностью дислокаций в плёнках CdTe на подложках GaAs(301).
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


4.
АТОМНАЯ СТРУКТУРА ПРОТЯЖЁННЫХ ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ БОРОМ СЛОЯХ КРЕМНИЯ

Л.И. Федина1, А.К. Гутаковский1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
fedina@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
latyshev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: имплантация бора, протяжённые дефекты, дефицит вакансий, ВРЭМ
Страницы: 34-40
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
С помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и компьютерного моделирования детально исследована структура протяжённых дефектов в Si, возникающих после имплантации бора и отжига при T = 900 ºС в зависимости от дозы имплантации (D) и концентрации узлового бора B0(CB0), введённого в Si до имплантации. Показано, что при D = 1016 см-2 вплоть до CB0 = 0,8 · 1020 см-3 наблюдаются дислокационные петли Франка междоузельного (I) и вакансионного (V) типов в соотношении 4 : 1. Атомная структура петель Франка I-типа сильно деформирована, что указывает на накопление бора в плоскости дефекта в мелкодисперсной форме. В плос-кости петель Франка V -типа отмечается появление реконструкции связей, обусловленной встраиванием собственных междоузельных атомов. При CB0 = 2,5 · 1020 см-3 петли Франка I-типа трансформируются в полные дислокации и возникают преципитаты бора с большой плотностью. На основе представленного анализа обсуждаются причины возникновения дефицита вакансий в имплантированных слоях.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


5.
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАНИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ НА СТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОДЛОЖКАХ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ

П.Л. Новиков1,2, Ж.В. Смагина1, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
novikov@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
dvurech@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, германий, структурированные подложки, наноостровки, метод молекулярной динамики
Страницы: 41-46
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИЙ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Методом молекулярной динамики исследовано формирование наноостровков Ge на структурированных подложках Si(100). Для подложек с перекрывающимися ямками и ямками в форме усечённых перевёрнутых пирамид рассчитана энергетическая поверхность. На основе её анализа описан механизм атомной поверхностной диффузии на структурированной поверхности. Вычислена удельная энергия гетероструктур Ge/Si с различной морфологией наноостровков в ямках. Показано, что конфигурация с несколькими наноостровками в ямке может быть термодинамически выгодной.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


6.
МЕЖУРОВНЕВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ Si/GexSi1 - x/S

А.А. Блошкин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
bloshkin@gmail.com
Ключевые слова: квантовые ямы, гетероструктуры Ge/Si, оптическое поглощение
Страницы: 47-55
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИЙ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Представлены результаты математического моделирования спектра дырок и оптического поглощения в квантовых ямах Si/GexSi1 - x/Si, сформированных на виртуальных подложках GeySi1 - y. Показано, что наличие упругих деформаций в такой системе может существенно изменять положение линии поглощения в гетероструктурах GeSi. Подбором составов квантовой ямы и виртуальной подложки можно добиться изменения длины волны межподуровневого поглощения в диапазоне 6-12 мкм для света, поляризованного в плоскости квантовой ямы. При приложении деформации растяжения изменение интенсивности переходов дырок под влиянием света, поляризованного в плоскости квантовой ямы, достигает 1,8 раза. Деформация сжатия приводит к изменению интенсивности межподзонных переходов в 1,45 раза.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


7.
ИНСТРУМЕНТАРИЙ ОПТИМИЗАЦИИ ПАРАЛЛЕЛЬНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

К.В. Павский1,2, М.Г. Курносов1,2, А.Ю. Поляков1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
pvk@isp.nsc.ru
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86
mkurnosov@gmail.com
Ключевые слова: вложение параллельных программ, отказоустойчивость, параллельное программирование, вычислительные системы
Страницы: 56-61
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИЙ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Рассмотрен разработанный авторами инструментарий оптимизации выполнения параллельных программ на мультиархитектурных распределённых вычислительных системах. Описан метод оптимизации вложения параллельных MPI-программ в вычислительные кластеры с иерархической структурой коммуникационных сетей. Для организации эффективного отказоустойчивого моделирования на распределённых вычислительных системах предложен адаптивный подход к дельта-оптимизации контрольных точек восстановления.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


8.
МЕЗОСКОПИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge В Si ДЛЯ ОДНОФОТОННЫХ ДЕТЕКТОРОВ

Н.П. Степина1, В.В. Вальковский1, А.В. Двуреченский1, А.И. Никифоров1, M. Juergen2, G. Detlev2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Stepina@isp.nsc.ru
2Peter Grünberg Institute (PGI 9), Forschungszentrum Jülich GmbH, Jülich-Aachen Research Alliance (JARA), 52425 Jülich, Germany
j.moers@fz-julich.de
Ключевые слова: прыжковая проводимость, квантовые точки, фотодетекторы, кремний, германий
Страницы: 62-67
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Представлены результаты исследования фотостимулированных переключений тока при облучении мезоскопических структур на основе квантовых точек Ge в Si слабыми потоками инфракрасного света. Малые размеры канала (порядка 70-200 нм) дают возможность наблюдать гигантские флуктуации фотопроводимости, которые обусловлены сильной зависимостью прыжкового тока от заполнения квантовых точек носителями заряда. Замена кремниевой подложки кремнием-на-изоляторе позволила исключить преобладание зонной проводимости над прыжковой при высоких температурах и повысить температуру фотодетектирования от 4,2 приблизительно до 100 K. Полученные результаты являются основанием для создания детектора одиночных фотонов в широком диапазоне длин волн.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


9.
ЭЛЕКТРОН–ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СВЕРХРЕШЁТКАХ GaAs/AlAs

В.А. Володин1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
volodin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: фононы, плазмоны, локализация, комбинационное рассеяние света
Страницы: 68-73
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
С применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света исследовано взаимодействие фононов и свободных носителей заряда в легированных полупроводниковых наноструктурах (сверхрешётках). В легированных сверхрешётках на основе полярных полупроводников коллективные колебательные моды свободных носителей заряда (плазмоны) экранируют дальнодействующее кулоновское взаимодействие катионов и анионов, что приводит к образованию смешанных фонон-плазмонных мод. Исследована угловая дисперсия (анизотропия) фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs. Наблюдаемая анизотропия обусловлена анизотропией диэлектрической проницаемости в сверхрешётках.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


10.
АНАЛИЗ СВЧ–ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin–ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

А.К. Шестаков, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
shestakov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: pin-диод, СВЧ, вносимые потери
Страницы: 74-81
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация >>
С помощью численного моделирования исследована зависимость величины вносимых СВЧ–потерь от параметров структуры гетеростуктурного pin–диода. Определены механизмы возникновения этих потерь и выявлен механизм, оказывающий на потери наибольшее влияние.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


11.
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЧ– И ИК–МЕТАМАТЕРИАЛОВ С ТРЁХМЕРНЫМИ РЕЗОНАТОРАМИ

В.А. Сейфи1,2, В.Я. Принц1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
valentin_seyfi@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
Ключевые слова: метаматериалы, численное моделирование, цилиндрические резонаторы
Страницы: 82-86
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация >>
Рассчитаны спектральные характеристики метаматериалов, сформированных из массивов оригинальных цилиндрических резонаторов, взаимодействующих с подложкой. Показано, что в данных резонаторах наряду с обычными модами возбуждаются дополнительные моды, связанные с особенностью формы резонаторов и наличием диэлектрической подложки. Обнаружено, что помимо основного резонанса спектральная характеристика содержит дополнительный резонансный пик, зависящий от ширины поперечной щели цилиндра и диэлектрической постоянной материала подложки. Полученные зависимости указывают на возможность создания динамически управляемых метаматериалов.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


12.
ВЛИЯНИЕ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/AlGaAs

Е.В. Кожемякина, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
kozhemyakina@isp.nsc.ru
Ключевые слова: арсенид галлия, экситоны, нестационарная фотолюминесценция, формирование экситонов, обменное взаимодействие
Страницы: 87-92
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация >>
Рассматриваются проблемы эволюции энергетического положения максимума линии фотолюминесценции свободных экситонов в высококачественных гетероструктурах GaAs/AlGaAs после оптического возбуждения короткими лазерными импульсами при высоких уровнях оптического возбуждения 5 · 1014–2 · 1018 см-3. Обсуждается влияние экранирования кулоновского и межэкситонного обменного взаимодействий. Данные эффекты давали поправки к энергии уровня свободных экситонов разного знака, при этом второй эффект был чувствителен к степени ориентации спинов экситонов и проявлялся в расщеплении положений максимума энергии экситонов с проекциями углового момента +1 и –1. Величина расщепления пропорциональна плотности экситонов и степени их циркулярной поляризации и достигает 1,5 мэВ.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


13.
ФАЗОВОЕ РАССЛОЕНИЕ КАК ОСНОВА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ПЛЁНКАХ SiOx ПРИ ОБЛУЧЕНИИ БЫСТРЫМИ ТЯЖЁЛЫМИ ИОНАМИ

С.Г. Черкова1,2, Г.А. Качурин1, В.А. Володин1,2, А.Г. Черков1,2, Д.В. Марин1,2, В.А. Скуратов3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
cherkova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
volodin@isp.nsc.ru
3Объединённый институт ядерных исследований РАН, 141980, г. Дубна, Московская обл., ул. Жолио-Кюри, 6
skuratov@jinr.ru
Ключевые слова: нанокластеры Si, тяжёлые ионы высоких энергий, фотолюминесценция
Страницы: 93-100
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация >>
Исследовано действие быстрых тяжёлых ионов Хе с энергией 130-167 МэВ дозами 1012–1014 см-2 и Bi с энергией 700 МэВ дозами 3 · 1012–3 · 1013 см-2 на плёнки стехиометрического термического диоксида кремния, плёнки диоксида кремния с ионно-имплантированным избыточным кремнием и на плёнки SiOx с вариацией стехиометрического параметра x от 0 до 2. По данным электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света облучение быстрыми тяжёлыми ионами приводило к формированию нанокластеров кремния. Спектр люминесценции зависел от размеров, числа и структуры образующихся нанокластеров Si. Их размерами можно управлять, варьируя как параметры воздействий (прежде всего, потери энергии ионов в треке на единицу длины), так и стехиометрический состав плёнок.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


14.
СОЗДАНИЕ МАССИВОВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ГРАФЕНА И МУЛЬТИГРАФЕНА В МАТРИЦЕ ФТОРОГРАФЕНА

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, А.И. Комонов, В.Я. Принц
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
nadonebo@gmail.com
Ключевые слова: графен и мультиграфен, фторирование, квантовые точки, изолирующая матрица
Страницы: 101-107
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация >>
Получены проводящие островки (квантовые точки) графена и мультиграфена в матрице фторированного графена методом химической функционализации графена в водном растворе плавиковой кислоты. Образованные структуры исследованы путём измерения вольт-амперных характеристик и с помощью атомно-силового микроскопа в режимах измерения рельефа поверхности и латеральных сил. Показано наличие проводящих островков во фторированной матрице и определены их размеры.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


15.
ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ CuS, СФОРМИРОВАННЫХ В ПЛЁНКАХ ЛЕНГМЮРА — БЛОДЖЕТТ

А.К. Гутаковский1,2, Л.Л. Свешникова1, С.А. Бацанов1, Н.А. Ерюков1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
gut@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: плёнки Ленгмюра — Блоджетт, высокоразрешающая электронная микроскопия, энергодисперсионный рентгеновский анализ, кристаллическая структура, нанокристаллы сульфида меди
Страницы: 108-114
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация >>
С помощью высокоразрешающей электронной микроскопии исследованы морфология и структура кристаллов CuS, образующихся при сульфидировании плёнок бегената меди, полученных по методу Ленгмюра — Блоджетт (ЛБ). Средний размер таких кристаллов составляет около 3 нм и увеличивается примерно в 2,2 раза после отжига при температуре 150 ºС и выше. Из анализа межплоскостных расстояний установлено, что в диапазоне температур отжига 150–200 ºС нанокристаллы CuS имеют гексагональную кристаллическую решётку типа P6 3/mmc с параметрами a = 0,38 нм и c = 1,64 нм. При температурах отжига 250 ºС и выше помимо нанокристаллов CuS начинается формирование кристаллической фазы Cu2S. При этом доля фазы растёт с повышением температуры отжига. Нанокристаллы Cu2S имеют гексагональный тип кристаллической решётки с пространственной группой P6 3/mmc и параметрами ячейки a = 0,39 нм и c = 0,68 нм. С помощью локального анализа спектров характеристического рентгеновского излучения выполнена количественная оценка содержания меди и серы в отдельных нанокристаллах CuS и Cu2S.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


16.
МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКАХ С ВЫСОКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ И ОСНОВАННЫХ НА НИХ ЭЛЕМЕНТАХ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ

Д.Р. Исламов1,2, В.А. Гриценко1,2, Ч.Х. Ченг3, А. Чин4
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
damir@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Россия, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
grits@isp.nsc.ru
3National Taiwan Normal University, Taipei, 106, Taiwan ROC
feldcheng@hotmail.com
4National Chiao Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan ROC
albert_achin@hotmail.com
Ключевые слова: аморфные плёнки, диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, оксид гафния
Страницы: 115-120
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация >>
Проанализированы вольт–амперные характеристики тонких диэлектрических плёнок HfOx в структурах p-Si/HfOx /Ni. Экспериментальные результаты сравнивались с различными теоретическими моделями: моделью ионизации ловушек Пула — Френкеля, многофононной моделью ионизации ловушек и эффектом Шоттки на границе раздела Ni/HfOx . Показано, что несмотря на хорошее качественное описание экспериментальных результатов всеми моделями, количественно данные описываются только многофононной моделью ионизации ловушек.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


17.
ЭЛЕКТРООСМОТИЧЕСКИЙ НАСОС НА ОСНОВЕ АСИММЕТРИЧНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МИКРОКАНАЛЬНЫХ МЕМБРАН

М.А. Паращенко, Н.С. Филиппов, В.В. Кириенко, С.И. Романов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
map@isp.nsc.ru
Ключевые слова: макропористый кремний, микроканальная матрица, электроосмотический насос, микрофлюидная система, macroporous silicon, microchannel matrix, electroosmotic pump, microfluidic system
Страницы: 121-129
Подраздел: МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОФАЗНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Аннотация >>
Работа посвящена созданию и характеризации электроосмотического насоса на основе асимметричных кремниевых микроканальных мембран. В экспериментах с использованием деионизованной воды впервые обнаружена ярко выраженная зависимость скорости потока (расхода жидкости насосом) от структурной асимметрии микроканалов. Определён расход жидкости насосом в зависимости от прикладываемого напряжения и ориентации матрицы по отношению к прокачиваемому объёму воды. Предложено аналитическое описание пространственной структуры микроканальных матриц, что дало возможность более точно связать между собой структурные и транспортные характеристики устройства. Полученные данные позволили вычислить дзета-потенциал системы деионизованная вода-двуокись кремния-кремний. Предполагается, что на основе обнаруженного эффекта могут быть созданы электроосмотические микронасосы для современных биоаналитических микро- и нанофлюидных систем.
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину