ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ ДЛИННОВОЛНОВЫЕ ИНФРАКРАСНЫЕ МАТРИЧНЫЕ ФПУ ФОРМАТА 320 x 256 ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЛОЁВ CdHgTe, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ
А.В. Предеин, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, Г.Ю. Сидоров, И.В. Марчишин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
predein@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, матричные фотоприёмные устройства, вольт-амперные характеристики, гибридная сборка
Страницы: 78-85
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ
Аннотация
Приведены параметры фотоприёмных устройств (ФПУ) длинноволнового инфракрасного диапазона формата 320 × 256 элементов, изготовленных по новой усовершенствованной технологии на основе гетероэпитаксиальных структур кадмий–ртуть–теллур. В этих ФПУ минимизированы изменения напряжения смещения фотодиодов по площади матрицы; устранены области неработоспособных фотодиодов, связанные как с процессом гибридизации, так и с ростовыми дефектами эпитаксиальных плёнок типа «шип»; вольт-амперные характеристики диодов в полученных фотоприёмниках однородны и лимитированы диффузионной компонентой тока вплоть до –400 мВ. Величина темнового тока составляет 0,25–0,45 нА, R0A = (0,6–3) · 102 Ом · см2. Вольтовая чувствительность, пороговая облучённость и среднее значение NETD в максимуме чувствительности равны 11,8 · 108 В/Вт, 3,7 · 10–8 Вт/см 2 и 26,8 мК соответственно. Доля дефектных элементов 1,5 %.
|
