Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Rambler's Top100

Rambler's Top100

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 5

1.
ФОРМИРОВАНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ ГРУПП КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ПРИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ Ge/Si

В.А. Зиновьев1, А.В. Двуреченский1, П.А. Кучинская1, В.А. Армбристер1, А.В. Мудрый2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
zinoviev@isp.nsc.ru
2ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», 220072, г. Минск, ул. П. Бровки, 19
mudryi@ifttp.bas-net.by
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, квантовые точки, пространственное упорядочение
Страницы: 6-12
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Развит новый подход к созданию упорядоченных в кольца наноостровков Ge при эпитаксии на поверхности гетерофазной структуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно созданными на ней затравками в виде нанодисков SiGe или наноколец SiGe. Показано, что пространственная конфигурация островков в группе обусловлена зарождением островков в области локальных минимумов плотности упругой энергии на поверхности круговой затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально совмещёнными кольцевыми группами квантовых точек. Проведено исследование элементного состава и люминесцентных свойств упорядоченных структур.


2.
РОСТ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ НА ПОДЛОЖКАХ AlN/A2O3

Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, А.П. Василенко, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
mal-tv@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: аммиачная МЛЭ, 2ДЭГ AlGaN/GaN, ТВПЭ GaN, подложки AlN/Al2O3
Страницы: 13-17
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Исследована возможность использования подложек AlN/Al2O3 для роста гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. Предложен способ калибровки температуры подложек путём измерения спектров теплового излучения. Установлены различия между подложками AlN/A2O3, приводящие к расхождению электрофизических параметров выращиваемых структур. На подложках AlN/Al2O3 получены образцы AlGaN/GaN, характеризующиеся подвижностью электронов двумерного электронного газа выше 1300 см2/В · с при концентрации электронов в канале более 1 · 1013 см–2.


3.
ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ В ГЕРМАНИИ

Н.П. Степина1, А.Ф. Зиновьева1, А.С. Дерябин1, В.А. Зиновьев1, В.А. Володин1, А.А. Шкляев1, А.В. Двуреченский1, С.В. Гапоненко2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Stepina@isp.nsc.ru
2Институт физики НАН Беларуси, 220072, г. Минск, просп. Независимости, 68
s.gaponenko@dragov.bas-net.by
Ключевые слова: квантовые точки, кремний, германий, водород
Страницы: 18-24
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Проведено исследование процессов формирования квантовых точек Si в Ge. Показано принципиальное различие процессов зарождения и роста квантовых точек на подложках с разной ориентацией, связанное как с образованием слоя твёрдого раствора SiGe, так и с формой квантовых точек. Определён температурный интервал формирования нанокристаллов Si на Ge(111). Показано, что изменение температуры эпитаксии от 480 до 400 ºС приводит к увеличению содержания кремния в квантовых точках от 58 до 75%. Проведён анализ влияния сурфактантов (в частности, водорода) на зарождение и рост наноостровков кремния; продемонстрированы уменьшение размеров квантовых точек и существенное увеличение их плотности при использовании водорода в качестве сурфактанта. Наблюдаемые эффекты объясняются подавлением поверхностной диффузии атомов в присутствии водорода.


4.
ДВУМЕРНОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИИ В УПРУГОАНИЗОТРОПНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

А.В. Ненашев1,2, А.А. Кошкарев2, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
nenashev@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
a.a.koshkarev@gmail.com
Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые проволоки, упругая деформация, анизотропия
Страницы: 25-36
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Рассматривается двумерное распределение упругой деформации в полупроводниковых гетероструктурах – квантовых проволоках, характеризующихся анизотропией упругих свойств. Причиной возникновения деформации является несовпадение параметров решёток материала квантовой проволоки и окружающей его среды (матрицы). Такие деформации влияют на положение энергетических зон, поэтому их учёт необходим при расчёте электронных состояний. Показано, что распределение деформации в анизотропной среде является линейной комбинацией двух аналогичных распределений, относящихся к «растянутым» в поперечных направлениях модификациям исходной квантовой проволоки.


5.
КОРРЕКТНОСТЬ УРАВНЕНИЙ ШЕСТИЗОННОЙ kp-МОДЕЛИ В ПРИМЕНЕНИИ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ГЕТЕРОСТРУКТУРАМ

В.П. Жуков1, М.П. Федорук1,2, А.Ф. Зиновьева3, А.В. Ненашев2,3, А.В. Двуреченский2,3
1Институт вычислительных технологий СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 6
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
nenashev@isp.nsc.ru
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
aigul@isp.nsc.ru
Ключевые слова: энергетический спектр, квантовые точки, гетеропереход, кремний, германий, волновая функция
Страницы: 37-49
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
На примере задачи вычисления энергетического спектра дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками исследована проблема корректности шестизонной kp-модели в применении к гетероструктурам с резкими границами. Граничные условия, удовлетворяющие требованию сохранения потока частиц, а также непрерывности волновой функции на гетерогранице, сформулированы на уровне дифференциальных уравнений и характеризуются единственным параметром μ, который зависит от свойств гетероперехода. Показано, что при определённом выборе μ возникают нефизические интерфейсные состояния, заполняющие всю запрещённую зону. Путём рассмотрения простейших случаев – одиночного гетероперехода и квантовой ямы – найдены условия (диапазон μ) отсутствия таких нефизических состояний.


6.
ТРЁХМЕРНАЯ МОДЕЛЬ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ГЕРМАНИЯ НА КРЕМНИИ

С.А. Рудин1, В.А. Зиновьев1, А.В. Ненашев1,2, А.Ю. Поляков1, Ж.В. Смагина1, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: кремний, германий, наноструктуры, гетероэпитаксия, моделирование методом Монте-Карло
Страницы: 50-56
Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИИ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Предложен новый метод учёта распределения деформации при атомистическом моделировании гетероэпитаксиального роста. Идея метода состоит в том, что кроме элементарных событий, изменяющих конфигурацию кристалла (осаждение новых атомов и прыжки атомов между узлами кристаллической решётки), в расчётный алгоритм включены случайные смещения (тепловые колебания) атомов в пределах узла решётки. Оказалось возможным подобрать вероятности элементарных событий таким образом, чтобы гарантировать стремление свободной энергии системы к минимуму при отсутствии внешних воздействий. Моделирование с помощью предложенного метода воспроизводит основные эффекты гетероэпитаксиального роста, такие как образование трёхмерных островков на напряжённом смачивающем слое (режим роста Странского – Крастанова) и вертикальное упорядочение наноостровков при росте многослойных гетероструктур.


7.
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Ge/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge ДЛЯ ФОТОПРИЁМНИКОВ СРЕДНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА

А.И. Якимов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
yakimov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые точки, фотодетекторы, кремний, германий
Страницы: 57-67
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ

Аннотация >>
Представлен обзор исследований фотоэлектрических характеристик гетероструктур Ge/SiGe/Si, содержащих слои квантовых точек Ge в матрицах Si и SiGe. В экспериментах варьировались элементный состав плёнок SiGe и его профиль, уровень и профили легирования, положение легированных слоёв Si и SiGe относительно плоскости квантовых точек и число слоёв квантовых точек. На основе проведённых исследований реализованы инфракрасные фотоприёмные элементы, функционирующие при нормальном падении света в окнах прозрачности атмосферы 3–5 и 8–12 мкм. Фотодетекторы характеризуются высокими (до 103) фотоэлектрическим усилением, обнаружительной способностью в фотовольтаическом и фотопроводящем режимах (до 0,8 · 1011 см · Гц1/2/Вт на длине волны около 4 мкм), уровнем чувствительности по току до 1 мA/Вт, работают в режиме ограничения флуктуациями фонового излучения уже при температуре 110 К и способны встраиваться в монолитные матрицы фокальной плоскости на кремниевых подложках.


8.
СТРУКТУРЫ HgCdTe ДЛЯ ДВУХСПЕКТРАЛЬНЫХ ФОТОПРИЁМНИКОВ ДИАПАЗОНОВ 3–5 И 8–12 мкм

В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, П.В. Сизиков, И.Н. Ужаков
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
varavin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасные фотоприёмники
Страницы: 68-77
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ

Аннотация >>
Разработан дизайн двухслойной гетероструктуры КРТ с фоточувствительными слоями составов xCdTe = 0,29–0,32 и xCdTe = 0,220–0,230, обеспечивающими чувствительность в спектральных диапазонах 3–5 и 8–12 мкм, барьерным слоем между ними и широкозонными варизонными слоями на гетерогранице и поверхности, выращенными на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe. Контроль процессов роста гетероэпитаксиальной структуры (ГЭС) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) осуществлялся эллипсометрическим методом в реальном масштабе времени. После выращивания проведено измерение распределения состава по толщине по спектрам отражения при послойном химическом травлении. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений состава с помощью эллипсометрического метода и спектров отражения. Дырочный тип проводимости двухслойных ГЭС КРТ МЛЭ получен после термического отжига при температуре 220–240 ºС в атмосфере инертного газа (гелия) в течение 24 ч. Концентрация дырок в фоточувствительных слоях составляет (4–10) · 1015 см–3 и (8–20) · 1015 см–3 при 78 К.


9.
ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ ДЛИННОВОЛНОВЫЕ ИНФРАКРАСНЫЕ МАТРИЧНЫЕ ФПУ ФОРМАТА 320 x 256 ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЛОЁВ CdHgTe, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МЛЭ

А.В. Предеин, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, Г.Ю. Сидоров, И.В. Марчишин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
predein@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, матричные фотоприёмные устройства, вольт-амперные характеристики, гибридная сборка
Страницы: 78-85
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ

Аннотация >>
Приведены параметры фотоприёмных устройств (ФПУ) длинноволнового инфракрасного диапазона формата 320 × 256 элементов, изготовленных по новой усовершенствованной технологии на основе гетероэпитаксиальных структур кадмий–ртуть–теллур. В этих ФПУ минимизированы изменения напряжения смещения фотодиодов по площади матрицы; устранены области неработоспособных фотодиодов, связанные как с процессом гибридизации, так и с ростовыми дефектами эпитаксиальных плёнок типа «шип»; вольт-амперные характеристики диодов в полученных фотоприёмниках однородны и лимитированы диффузионной компонентой тока вплоть до –400 мВ. Величина темнового тока составляет 0,25–0,45 нА, R0A = (0,6–3) · 102 Ом · см2. Вольтовая чувствительность, пороговая облучённость и среднее значение NETD в максимуме чувствительности равны 11,8 · 108 В/Вт, 3,7 · 10–8 Вт/см 2 и 26,8 мК соответственно. Доля дефектных элементов 1,5 %.


10.
ПРИЁМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕРАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК Pb1–xSnxTe:In

А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, Н.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
lexa@isp.nsc.ru
Ключевые слова: терагерцовое излучение, переход металл–диэлектрик, локализованные центры в запрещённой зоне, лазер на свободных электронах, макет фотоприёмников
Страницы: 86-92
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ

Аннотация >>
Приведены результаты экспериментальных исследований плёнок Pb1–xSnxTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с содержанием олова близким к инверсии зон. Определена оптимальная концентрация индия и получены плёнки с x > 0,3, в которых наблюдался так называемый переход металл–диэлектрик. Изготовлены макеты фотоприёмников и проведены измерения фототока при воздействии излучения лазера на свободных электронах в области 140–205 мкм. Даны оценки и показана возможность использования приёмников для регистрации собственного излучения тела, нагретого до температуры 300 К, в пассивном режиме, в том числе и в системах регистрации изображения в терагерцовой области спектра.


11.
СПЕКТРОСКОПИЯ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Alex729@isp.nsc.ru
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, экситон, биэкситон, тонкая структура, излучатели одиночных фотонов, излучатели фотонных пар, запутанных по поляризации
Страницы: 93-99
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены массивы квантовых точек InAs сверхнизкой плотности (~106 см–2), что позволило провести исследования спектральных характеристик излучения одиночных квантовых точек с использованием методики криогенной микрофотолюминесценции. Продемонстрировано монотонное увеличение расщепления экситонных состояний с увеличением размера квантовых точек до значений ~102 мкэВ. Показано, что в интервале энергий экситонов 1,3–1,4 эВ величина расщепления экситонных состояний сравнима с естественной шириной экситонных линий, и это представляет большой интерес для разработки излучателей пар запутанных фотонов на основе квантовых точек InAs.


12.
ГИГАНТСКОЕ КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ НАНОСТРУКТУРАМИ

А.Г. Милехин1,2, Л.Л. Свешникова1, Т.А. Дуда1, Н.А. Ерюков1, Н.В. Суровцев3, С.В. Адищев3, Е.Е. Родякина1, А.К. Гутаковский1, А.В. Латышев1, R. T. Zahn Dietrich4
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
milekhin@thermo.isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1
lab21@iae.nsk.su
4Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, D-09107, Chemnitz, Germany
zahn@physik.tu-chemnitz.de
Ключевые слова: нанокристаллы, наностержни, нанокластеры, фононы, локализованные поверхностные плазмоны, гигантское комбинационное рассеяние света, поглощение
Страницы: 100-111
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Обнаружено и исследовано гигантское комбинационное рассеяние света оптическими и поверхностными фононами в нанокристаллах CdS, GaN и CuS и нанопроволоках AlN. Установлено, что присутствие нанокластеров металлов (Ag, Au и Pt) существенным образом меняет спектры комбинационного рассеяния наноструктур и приводит к резонансному усилению мод оптических фононов в нанокристаллах CdS и CuS и возникновению поверхностных мод нанокристаллов GaN и нанопроволок AlN. Показано, что частоты мод поверхностных оптических фононов исследованных наноструктур хорошо согласуются с теоретическими значениями, полученными из расчётов, проведённых в приближении диэлектрического континуума.


13.
МИКРОСЕКУНДНОЕ ВРЕМЯ ЖИЗНИ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ В КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ (In,Al)As/AlAs

Т.С. Шамирзаев1, D. Dunker2, J. Debus2, Д.Р. Яковлев2,3, К.С. Журавлев1, M. Bayer3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
tim@isp.nsc.ru
2Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, 44221, Dortmund, Germany
daniel.dunker@udo.edu
3Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26
Dmitri.Yakovlev@dortmund.de
Ключевые слова: квантовые точки, экситон, спиновая релаксация
Страницы: 112-118
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СПИНТРОНИКИ

Аннотация >>
Время спиновой релаксации экситонов в квантовых точках (In,Al)As/AlAs со структурой зон первого рода определялось посредством измерения динамики степени циркулярной поляризации фотолюминесценции, наведённой продольным магнитным полем B. Время спиновой релаксации τS возрастает с уменьшением магнитного поля пропорционально B–5 и равно ~40 мкс в магнитном поле 6 Тл при температуре 1,8 К. При повышении температуры T в магнитном поле 7 Тл величина τS уменьшается пропорционально T–1,1. Характер полевой и температурной зависимостей τS свидетельствует о спин-решёточном механизме релаксации спина экситонов с участием одного акустического фонона.


14.
КНИ-НАНОПРОВОЛОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ДЕТЕКЦИИ МОЛЕКУЛ D-NFATc1

Ю.Д. Иванов1, Т.О. Плешакова1, А.Ф. Козлов1, К.А. Мальсагова1, Н.В. Крохин1, А.Л. Кайшева1, И.Д. Шумов1, В.П. Попов2, О.В. Наумова2, Б.И. Фомин2, Д.А. Насимов2, А.Л. Асеев2, А.И. Арчаков1
1Институт биомедицинской химии им. В. Н. Ореховича РАМН, 119121, Москва, ул. Погодинская, 10
yurii.ivanov@rambler.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
popov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: аптамер, биосенсор, D-NFATc1, кремний на изоляторе, нанопроволоки
Страницы: 119-126
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ БИОСЕНСОРИКИ НА ОСНОВЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация >>
Метод нанопроволочной (НП) детекции является одним из быстродействующих и высокочувствительных методов. Нанопроволочный биосенсор на основе структур кремний на изоляторе (КНИ) использован для биоспецифической детекции в реальном времени без меток NFATc1-онкомаркера (D-NFATc1). Для этого КНИ-нанопроволоки модифицировались к NFATc1 аптамерами, применяемыми в качестве макромолекулярных зондов. Показано, что такой биосенсор позволяет достигать чувствительности порядка 10–15 М, сравнимой с чувствительностью, полученной на НП-биосенсоре с иммобилизованными антителами, используемыми в качестве макромолекулярных зондов. Результаты демонстрируют перспективность применённых в работе подходов формирования сенсорных элементов для высокочувствительной диагностики заболеваний.