Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.226.93.209
    [SESS_TIME] => 1713295113
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 1a1da2091489d67c012ca92f87641b77
    [UNIQUE_KEY] => e66575d177e3d502c12e645accdf62a9
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Оптика атмосферы и океана

2013 год, номер 10

Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии

Ю.М. АНДРЕЕВ1,2, Г.В. ЛАНСКИЙ1,2, К.А. КОХ3, А.Н. СОЛДАТОВ4, А.В. ШАЙДУКО1,2
1Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, 634055, г. Томск, пр. Академический, 10/3
yuandreev@imces.ru
2Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, 634050, г. Томск, пл. Новособорная, 1
lansky@yandex.ru
3Институт геологии и минералогии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр. Академика Коптюга, 3
k.a.kokh@gmail.com
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36
general@tic.tsu.ru
Ключевые слова: нелинейный кристалл, GaSe, легирование, преобразование частоты, средний ИК-диапазон, терагерцы
Страницы: 846-853
Подраздел: ТЕМАТИЧЕСКИЙ ВЫПУСК

Аннотация

Подведены итоги разработки улучшенных технологий синтеза и выращивания модифицированных легированием нелинейных кристаллов GaSe, методов характеризации и результаты исследования физических свойств, проанализированы параметры разработанных на их основе источников перестраиваемого излучения среднего ИК и широкополосных источников ТГц-диапазонов, приведены первые результаты применения в прикладной спектроскопии.
Скачать pdf-версию статьи