ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ ОКТАВИНИЛИ ОКТАФЕНИЛСИЛСЕСКВИОКСАНА ПО ДАННЫМ РФЭС И ТФП
И.С. Осьмушко, В.И. Вовна, В.А. Яшин, В.В. Короченцев, М.В. Тутов, Н.П. Шапкин
Дальневосточный федеральный университет, ул. Суханова, 8, Владивосток, 690950
vovna@vido.dvgu.r
Ключевые слова: полиэдрические силоксаны, РФЭС, ТФП, электронная структура
Страницы: 463-469
Подраздел: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ
Аннотация
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и теории функционала плотности (ТФП) исследовано электронное строение октасилсесквиоксанов (RSiO1,5)8 с винильными и фенильными концевыми группами. Количественные составы, определенные по данным РФЭС, близки к оцененным по брутто-формулам. Узкие линии спектров, соответствующие ионизации с остовных уровней C1s, указывают на близкие химические состояния атомов углерода для обоих соединений. Экспериментальные данные подтверждаются близкими расчетными значениями эффективных зарядов на атомах углерода при включении в базис поляризационных функций, а также малыми интервалами значений энергии электронов остовных уровней. Проведена интерпретация валентной области спектра на основе расчетных значений энергии уровней электронов с учетом плотности состояний и сечений ионизации.
|
