Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.226.242.26
    [SESS_TIME] => 1711696625
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bf21b48bb2fea55d9b58f420f9a5bc83
    [UNIQUE_KEY] => b5f4ec5c04d96f35639bd7d8ddcc24e9
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2010 год, номер 7

ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ ТВЕРДЫХ ФАЗ В ДИАГНОСТИКЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Н. Ф. Захарчук1, Т. П. Смирнова2, В. Е. Федоров3
1 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, nzak@niic.nsc.ru
2 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
3 Учреждение Российской академии наук Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск
Ключевые слова: вольтамперометрия твердых фаз, оксидные слои, сверхпроводники
Страницы: 171-177

Аннотация

Метод вольтамперометрии твердых фаз применен для фазового анализа пленок собственных оксидов на полупроводниках типа AIIIBV. Показано, что пленки собственных оксидов на полупроводниках типа AIIIBV, как анодные, так и термические, не являются гомогенными, а представляют собой смесь различных фаз и их структурных модификаций. Установлены причины нестабильного состояния собственных оксидных слоев на полупроводниках типа AIIIBV, обусловленные образованием в процессе окисления их поверхности неравновесного набора фаз, их аморфных и нестабильных кристаллических форм. Разработана методика экспрессной идентификации характеристик сверхпроводящих фаз. Все электрохимические характеристики обнаруженного сигнала свидетельствуют о присутствии в сверхпроводящих фазах кислорода, способного принимать электроны и таким образом обеспечивать электронейтральность молекулы.