Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.147.0.155
    [SESS_TIME] => 1711696041
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => dcf9dbcad95a89188aa1a98a77500c3f
    [UNIQUE_KEY] => 12214f802d689ebdf1a8b9936926769b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2009 год, номер 4

ЗАВИСИМОСТЬ РЕАКЦИОННОЙ СПОСОБНОСТИ АЛКИЛ-ДОПИРОВАННЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ОТ ХАРАКТЕРА СВЯЗЫВАНИЯ Si-O-Si

Ф. Н. Дульцев
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, fdultsev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: реконструкция поверхности, пористый диоксид кремния, молекулярная механика
Страницы: 623-628

Аннотация

При помощи моделирования методом молекулярной механики ММ2 и полуэмпирическими методами MNDO/PM3 показано, что наиболее вероятный механизм модифицирования поверхности алкил-допированных слоев диоксида кремния в плазме - взаимодействие с группами СН3. Отрыв атома водорода вызывает изменение характера связывания Si-O-Si, что приводит к увеличению числа групп Si-O-Si с углом в области 144-146°. Последующая обработка в плазме аммиака приводит к закупориванию пор, происходящему через образование цепей -CH-Si-O-Si-O-Si-O-Si-. Предложенный механизм хорошо объясняет экспериментальные спектры FTIR и изменение реакционной способности пористых слоев после проведения обработки в гелиевой плазме.