Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 34.236.152.203
    [SESS_TIME] => 1710839294
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 1b81813eba9163e500b03a5f5d30350a
    [UNIQUE_KEY] => e21b4cafc25e4ba9707f07235da4af22
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2007 год, номер 1

Электронно-энергетическая структура и рентгеновские спектры широкозонных полупроводников GaN, AlN и AlN – GaN

Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоров И.Я.
Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону
Ключевые слова: электронная энергетическая структура, нитриды, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры
Страницы: 68-75
Подраздел: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Аннотация

Электронная энергетическая структура кристаллов GaN, AlN и AlGaN со структурой вюрцита рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с XPS спектрами галлия и алюминия, AlLII, III XES, а также с K-спектрами поглощения галлия и AlLII, III XAFS. Проведено сравнение электронной структуры кристаллов AlxGa1–xN и бинарных GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Изучена концентрационная зависимость ширины верхней подзоны валентной полосы и полосы запрещенной энергии в кристаллах AlxGa1–xN (x = 0, 0,25, 0,5, 0,75, 1) от содержания алюминия и показан ее нелинейный характер.