Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 6

ЗАВИСИМОСТЬ РАЗМЕРОВ «ПОВРЕЖДЁННЫХ» ОБЛАСТЕЙ ВОКРУГ ИНДИЕВЫХ КОНТАКТОВ К p-ТИПУ КРТ НА GaAs-ПОДЛОЖКЕ ОТ ТЕМПЕРАТУР И ВРЕМЕНИ ОТЖИГА

А. Р. Новоселов, И. Г. Косулина
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
novoselov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ГЭС КРТ, p-n-переходы, вольт-амперные характеристики p-n-переходов
Страницы: 111-115

Аннотация

Обнаружено, что вокруг индиевых контактов к p-типу ГЭС КРТ {310} на GaAs-подложках образуются «повреждённые» области, размеры которых зависят от температуры и времени отжига на воздухе. Экспериментально выяснено, что скорость расширения повреждённых областей для температуры отжига 90 ºС составляет около 4 мкм/ч, а для температур около 120 ºС - более 25 мкм/ч. После 488 часов отжига пластин ГЭС КРТ при температуре 60 ºС на воздухе образования повреждённых областей вокруг индиевых контактов к p-областям не обнаружено. Исследования проведены на пластинах p-типа ГЭС КРТ на GaAs-подложках, поверхность которых закрыта диэлектриками SiO2 и Si3N4 (суммарной толщиной около 0,15 мкм) с окнами, где сформированы p-n-переходы ионным легированием бора.