Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ОПТИМИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ БЛОКИРУЮЩЕГО ДИЭЛЕКТРИКА В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ, ОСНОВАННОЙ НА НИТРИДЕ КРЕМНИЯ

Ю. Н. Новиков1, В. А. Гриценко1, К. А. Насыров2
1 Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
nov@isp.nsc.ru, grits@isp.nsc.ru
3 Институт автоматики и электрометрии СО РАН
nasyrov@iae.nsk.su
Ключевые слова: флэш-память, блокирующий диэлектрик, нитрид кремния
Страницы: 80-84

Аннотация

Показано, что для блокирующего слоя элемента флэш-памяти, основанного на нитриде кремния, существует оптимальная величина диэлектрической проницаемости, что позволяет достичь максимальной величины окна памяти в режимах записи-стирания.