Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ GaAs/AlGaAs

А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
caches@ngs.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: моделирование, гетероструктуры, полевой транзистор Шоттки
Страницы: 66-71

Аннотация

Проведена оптимизация параметров структуры, состоящей из легированного GaAs-канала и AlGaAs-буфера, расположенного между подложкой и каналом, с помощью пакета программно-технологического моделирования Sentaurus TCAD, разработанного фирмой "Synopsys". Показано, что введение этого буфера увеличивает пробивное напряжение и мощность транзистора по сравнению с транзистором на базовой структуре без AlGaAs-буфера. Также показано, что в наибольшей степени на пробивное напряжение транзистора оказывает влияние состав буфера (доля алюминия в твердом растворе AlxGa1-xAs) и что для получения максимального пробивного напряжения буфер должен содержать не менее 18 % алюминия.