Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ЗАРОЖДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ SiGe-ОСТРОВКАХ, ФОРМИРУЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА

В. А. Зиновьев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
zinoviev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, зарождение дислокаций, моделирование
Страницы: 60-65

Аннотация

Предлагается модель пластической релаксации наноостровков, способная предсказать критические характеристики (форму, размер, элементный состав), при которых вводятся дислокации. Проводится теоретическое рассмотрение начальной стадии пластической релаксации трехмерных островков, формирующихся в процессе гетероэпитаксии в режиме Странского - Крастанова, на примере гетеросистемы Ge/Si(100). Исследование базируется на сочетании численного и аналитического подходов к расчету деформаций в трехмерном островке, содержащем дислокацию. Подтверждается, что зарождение дислокаций в трехмерных SiGe-островках не лимитируется кинетическим барьером.