Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ИНДУЦИРОВАННОЕ УГЛЕРОДОМ ФОРМИРОВАНИЕ НАНООСТРОВКОВ Ge ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Ca2/Si(111)

Л. В. Соколов, А. С. Дерябин, Е. Е. Родякина
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
sokolov@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, rodyakina@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноостровки, гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 56-59

Аннотация

Исследовалось самоформирование наноостровков германия на поверхности фторида кальция с помощью атомно-силовой микроскопии и дифракции электронов на отражение.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена структура Ge/CaF2/Si(111). Нанесением субмонослойного покрытия углерода модифицирована поверхность пленки фторида кальция для стимулирования зарождения наноостровков германия. Обнаружена зависимость параметров массива наноостровков от величины покрытия.