Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОСТИМПЛАНТАЦИОННОГО ОТЖИГА НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИК-ФОТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ p-CdHgTe

А. В. Вишняков, В. С. Варавин, М. О. Гарифуллин, А. В. Предеин, В. Г. Ремесник, И. В. Сабинина, Г. Ю. Сидоров
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
vishn@isp.nsc.ru, varavin@isp.nsc.ru, garifullinm@gmail.com, alpred@thermo.isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, sabinina@isp.nsc.ru, george007@ya.ru
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, КРТ, CdHgTe, фотодиод, туннельные токи, численное моделирование вольт-амперных характеристик, численное моделирование диффузии ртути, ионная имплантация, постимплантационный отжиг
Страницы: 32-40

Аннотация

Исследованы вольт-амперные характеристики ИК-фотодиодов и профили распределения концентрации носителей заряда в n+-n--p-структурах на основе пленок CdxHg1-xTe вакансионного p-типа проводимости с x = 0,22. Проведено численное моделирование трехмерного профиля концентрации носителей и вольт-амперных характеристик при отжиге фотодиодов. Рассчитано, что причинами больших значений туннельных токов в диодах после имплантации может быть повышенная (более 1015 см-3) концентрация доноров в n--слое, что увеличивает туннелирование за счет уменьшения толщины области пространственного заряда n--перехода, а также малая (менее 3 мкм) величина глубины залегания p-n-перехода.