Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdHgTe НА ПОДЛОЖКАХ Si(310) ДЛЯ ИНФРАКРАСНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ

М. В. Якушев, Д. В. Брунев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
yakushev@isp.nsc.ru, dmitry@isp.nsc.ru, varavin@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru, alpred@thermo.isp.nsc.ru, sabinina@isp.nsc.ru, sidorov@isp.nsc.ru, alexsav@gorodok.net
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, КРТ, кремний, гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, МЛЭ, детектор инфракрасного диапазона, дефекты, фотодиод
Страницы: 23-31

Аннотация

Представлены результаты исследований процессов роста твердых растворов CdHgTe на подложках из кремния диаметром 76,2 мм методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Определены условия получения гетероструктур CdHgTe/Si(310) для спектрального диапазона 3-5 мкм, на основе которых возможно производство приборов высокого качества. Изготовлен фотоприемник формата 4 × 288 методом гибридной сборки матричного фоточувствительного элемента с мультиплексором. Приведены результаты исследования чувствительности и устойчивости к термоциклированию данного фотоприемника.