Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.144.42.196
    [SESS_TIME] => 1713279479
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => b7024463693e5d836f93bf29d2340540
    [UNIQUE_KEY] => 20633c561887a3172b8a60754d88ce15
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2008 год, номер 6

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗОБРАЖЕНИЯ МЕНИСКА КРИСТАЛЛА, ВЫРАЩИВАЕМОГО ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА

С. В. Михляев1, О. И. Потатуркин2
1 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, mikhlyaev@iae.nsk.su
2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, potaturkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: выращивание кристаллов, мениск, параллакс, численное моделирование
Страницы: 35-48

Аннотация

Приведены данные компьютерного моделирования изображения мениска кристалла, выращиваемого из высокотемпературного расплава методом Чохральского. Исследуются тонкая структура изображения зоны кристаллообразования, формируемого оптической проекционной системой, и различные его составляющие, обусловленные собственным излучением нагревателя, расплава и кристалла, а также отражениями излучения от поверхностей расплава и кристалла. Анализируются причины возникновения параллакса изображения мениска, приводятся оценки его влияния на метрологические характеристики оптической системы контроля геометрии кристалла.