Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2008 год, номер 1

ВОЛЬТ–АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ СЛОЕВ HG0,78CD0,22TE, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 39-46

Аннотация

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) диодов, пред-назначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны lc = 11 мкм, на основе варизонных слоев Hg0,78Cd0,22Te, полученных методом молекулярно-лучевой эпи-таксии на полуизолирующих подложках GaAs. Определено, что основными механизмами генерации носителей заряда при напряжении обратного смещения V1 < –0,2 В являются диффузионный ток и ток генерации в слое обеднения p–n-перехода. Показано, что хорошее совпадение расчетных и экспериментальных ВАХ достигается при учете понижения эффективной глубины залегания рекомбинационных уровней в слое обеднения вследствие эффекта Пула – Френкеля, а также при учете продольного растекания носителей заряда в диффузионной составляющей обратного тока.