Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.226.126.38
    [SESS_TIME] => 1711625225
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e839d010784cd1f920b2270b1a79e4f3
    [UNIQUE_KEY] => 4bc8de610cab5e1a72e5b6abab627ab6
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 4

ИНФРАКРАСНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР GaAs/AlGaAs С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Д. Г. Есаев1, И. В. Марчишин1, В. Н. Овсюк1, А. П. Савченко1, В. А. Фатеев1, В. В. Шашкин1, А. В. Сухарев2, А. А. Падалица2, И. В. Будкин2, А. А. Мармалюк2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: esaev@thermo.isp.nsc.ru
2
ФГУП НИИ «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха, Москва
Страницы: 112-118

Аннотация

Разработано, изготовлено и исследовано инфракрасное фотоприемное устройство (ФПУ) 320 Ч 256 элементов, чувствительное в диапазоне 7,5–10 мкм. Фотоприемная матрица на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами выращивалась методом гидридной эпитаксии из металлоорганических соединений. Пик чувствительности достигался при длине волны 9,3 мкм и составлял 340 мA/Вт. Гибридное ФПУ изготовлено методом холодной сварки индиевых столбов фотоприемной матрицы и кремниевого мультиплексора. При рабочей температуре 68 К получено температурное разрешение 29,4 мК.