Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.222.249.19
    [SESS_TIME] => 1711671410
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 11e44faea6a4c084404aca6d59b0b823
    [UNIQUE_KEY] => effb18f266554008e522154c28d466d4
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 4

МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ ПРИ СБОРКЕ ГИБРИДНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ КРТ

В. М. Ефимов, Д. Г. Есаев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: efimov@isp.nsc.ru
Страницы: 98-103

Аннотация

Предлагается простой метод определения критического давления, не разрушающего диоды на основе CdxHg1–xTe при гибридной сборке. Метод позволяет получить набор данных, надежно определяющих критический параметр (величина усилия) технологии flip-chip сборки гибридных фотоприемных устройств. Метод опробован на образцах CdxHg1–xTe (x = 0,21). Установлено, что резкое изменение электрофизических свойств материала происходит при увеличении диаметра индиевых микростолбов в процессе сдавливания в 2 раза и более и давлении около 3 кг/мм2. Полученные калибровочные зависимости «приложенная нагрузка/деформация микростолба» показывают, что такие давление соответствуют началу области «упрочнения» индия на деформационной кривой.