Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.213.75.78
    [SESS_TIME] => 1711669940
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => cd9d46c20238ee5dbc3d9260433b6a88
    [UNIQUE_KEY] => 09a5e24d5087b1e8e7cbb067a094a30b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 4

ОБРАТНЫЙ ТОК p–n-ПЕРЕХОДОВ С ПОЛЕВЫМ ЭЛЕКТРОДОМ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР CdHgTe/GaAs

В. Н. Овсюк, А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 89-97

Аннотация

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик диодов с управляющим электродом. Диоды изготовлены на основе варизонных слоев Cd0,22Hg0,78Te (КРТ), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на полуизолирующей подложке GaAs и предназначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны lc = 10 мкм. Показано, что поверхностные токи вносят существенный вклад в обратные токи фотодиодов на основе МЛЭ КРТ при обогащении и инверсии. Получена критическая величина плотности встроенного заряда, при которой уровень поверхностных утечек не превышает 20 % от объемного тока.