МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННОГО ИЗОТИПНОГО P–p-ПЕРЕХОДА В СЛОЯХ КРТ, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
В. В. Васильев, А. С. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, Ю. Г. Сидоров, А. О. Сусляков, А. Л. Асеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: vas@thermo.isp.nsc.ru
Страницы: 17-24
Аннотация
Представлена технология выращивания варизонных P–p-переходов с потенциальным барьером в слоях теллурида кадмия и ртути (КРТ) и профилем состава, контролируемым in situ с помощью эллипсометра (P соответствует широкозонной, а p – узкозонной области полупроводника). На выращенных структурах изготовлены матричные фотоприемники 128 Ч 128 элементов для спектрального диапазона 8–12 мкм. Гибридная сборка матричного фотоприемника с кремниевыми мультиплексорами произведена методом групповой холодной сварки на индиевых столбах. Представлены экспериментальные температурные зависимости отношения сигнал/шум для матрицы фокальной плоскости с потенциальным барьером. Эти данные сравниваются с теоретической температурной зависимостью отношения сигнал/шум для идеального диффузионно-ограниченного диода и экспериментальными данными матричных фотоприемников без потенциального барьера в варизонном слое КРТ.
|
