Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2005 год, номер 1

КИНЕТИКА НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЙ РОСТА ПЛЕНОК ZnTe НА Si(013)

Д. Н. Придачин, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. А. Швец
(Новосибирск)
Страницы: 104-114
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Методами эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и электронной оже-спектроскопии исследовались начальные стадии формирования эпитаксиальных пленок ZnTe на подложках Si(013): As. Показано, что кинетика роста пленки ZnTe описывается моделью зарождения и роста центров кристаллизации. Температурная зависимость скорости зарождения J хорошо аппроксимируется прямой линией в координатах ln(J), 1/(T)2T, что указывает на лимитирующую роль образования зародышей критического размера. Рассчитано значение увеличения поверхностной энергии при зарождении ZnTe, равное 40 эрг/см2. Оценочный расчет значения поверхностной энергии чистого ZnTe(001) дает 490 эрг/см2. Разница между двумя значениями энергии может быть обусловлена адсорбцией компонентов осаждаемого материала, снижающей избыточную энергию процесса увеличения поверхности.