Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2003 год, номер 2

ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ РОСТА НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ CdxHg1-x Te

Н. Н. Михайлов, В. А. Швец, С. А. Дворецкий, Е. В. Спесивцев, Ю. Г. Сидоров, С. В. Рыхлицкий, Р. Н. Смирнов
Институт физики полупроводников ОИФП СО РАН, Новосибирск
E-mail: shvets@isp.nsc.ru
Страницы: 71-80
Подраздел: ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ СРЕДЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

Аннотация

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с прецизионным эллипсометрическим контролем in situ толщины и состава слоев были выращены наноразмерные потенциальные барьеры и ямы на основе твердых растворов CdxHg1-x Te (КРТ). При изменении величины молекулярного потока теллура в процессе роста КРТ наблюдаются затухающие осцилляции эллипсометрических параметров. Сравнение экспериментальных данных с расчетом позволяет определить состав КРТ тонкого слоя, соответствующего потенциальному барьеру или яме, его толщину и оценить резкость границ. Показано, что выращенные потенциальные барьеры и ямы с различными составами КРТ толщиной от 2 до нескольких десятков нанометров имеют резкие границы, размытие которых не превышает одного монослоя.