Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.140.242.165
    [SESS_TIME] => 1713464931
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 0a8ec2ac688f1c1181355953b190b903
    [UNIQUE_KEY] => 7e3f45b9b48d960b5158df0d8548f829
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

1999 год, номер 5

Об образовании ударных волн в течении носителей зарядов в полупроводниках.

Д. А. Крымских
Сибирская государственная геодезическая академия, 630108 Новосибирск

Аннотация

Проведено численное исследование одной гидродинамической модели физики полупроводников. Показано, что решение задачи о (n+nn+)-баллистическом диоде имеет ударную волну. Для решения этой задачи применяется метод установления. Для нахождения численного решения получена консервативная полунеявная экономичная разностная схема.