Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

1999 год, номер 5

Об образовании ударных волн в течении носителей зарядов в полупроводниках.

Д. А. Крымских
Сибирская государственная геодезическая академия, 630108 Новосибирск

Аннотация

Проведено численное исследование одной гидродинамической модели физики полупроводников. Показано, что решение задачи о (n+nn+)-баллистическом диоде имеет ударную волну. Для решения этой задачи применяется метод установления. Для нахождения численного решения получена консервативная полунеявная экономичная разностная схема.