Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2003 год, номер 3

Экстракционно-пиролитический метод получения функциональных оксидных материалов

Т. Н. Патрушева1, А. И. Холькин2, Д. В. Юрьев1
1Красноярский государственный технический университет,
ул. Киренского, 26, Красноярск 660074 (Россия), E-mail: pat@ire.krgtu.ru
2Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН,
ул. К. Маркса, 42, Красноярск 660049 (Россия)
Страницы: 529-537

Аннотация

Развитие функциональной электроники как альтернативы схемотехническому пути развития микроэлектроники тесно связано с решением ряда задач в области материаловедения и технологии. Полупроводниковые сложные оксиды, магнитные, сенсорные и генерирующие излучение материалы, сегнето-, пьезо- и пироэлектрики приобретают важное значение в современном мире, поскольку выполняют роль "умных" материалов. Потребность в них растет с развитием наиболее прогрессивных отраслей науки и техники, в частности, электроники, компьютерной техники, медицины, лазерных и фотохимических технологий. Из методов получения сложнооксидных материалов весьма перспективны растворные, к которым относится и золь-гель метод. Смешение исходных компонентов в растворе и последующая их термическая обработка приводят к получению гомогенных материалов и снижению температурных и временных параметров синтеза. Это позволяет ввести в состав сложных оксидов химически активные и легкоплавкие компоненты, например свинец и висмут. Важную роль в стабилизации характеристик функциональных материалов играет фактор их чистоты. Отсутствие примесей и однородность фазового состава гарантируют максимальные характеристики и резкие переходы, осуществляемые при работе функциональных материалов. Для получения гомогенных, чистых и морфологически однородных функциональных оксидных материалов авторами предложена экстракционно-пиролитическая технология.