Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Химия в интересах устойчивого развития

2003 год, номер 3

Высокочистые кремнийорганические прекурсоры для плазмохимического осаждения тонких диэлектрических покрытий

Р. Г. Мирсков, В. И. Рахлин, М. Г. Воронков
Иркутский институт химии имени А. Е. Фаворского Сибирского отделения РАН,
ул. Фаворского,1, Иркутск 664033 (Россия), E-mail: admin@irioch.irk.ru
Страницы: 523-527

Аннотация

Разработаны экологически безопасные методы получения высокочистых жидких кремнийорганических соединений, содержащих связи Si–O–Si, Si–O–B, Si–O–P, Si–O–Sb, Si–N–Si, Si–N–N. Показана перспективность их применения в качестве прекурсоров для плазмохимического осаждения тонких диэлектрических покрытий различного функционального назначения в производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Новые прекурсоры позволяют исключить применяющиеся в настоящее время токсичные, огне-, взрывоопасные и дорогостоящие газы, такие как силан, диборан, фосфин и нестабильный триметилстибин.