Издательство СО РАН
Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2
Войти на сайт
/
Зарегистрироваться
Главная
Новости
Книги
Журналы
Редактору
Наши достижения
Ссылки
English
Главная
–
Журналы
–
Журнал "Вестник НГУЭУ" 1999 номер 2
Поиск по журналу
Журнал "Вестник НГУЭУ"
1999 год,
номер 2
Электронная структура дырочных центров в кристаллах флюорита, активированных алюминием.
Мысовский С.Н.
Подраздел: КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ
Скачать pdf-версию статьи
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности.
Подробнее
Отказаться
Принять