Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Название:
Раздел:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2013 г., 176 с., Тираж 330, ISBN 978-5-7692-1272-7 (вып.37), 978-5-7692-0669-6

(Интеграционные проекты СО РАН; Вып.37 ). В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании МО CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: Металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики).
Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.

780 руб В корзину