Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Название:
Раздел:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Атомная структура полупроводниковых систем

отв. ред. А. Л. Асеев
Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2006 г., 292 с., ISBN 5-7692-0841-4

Представлены результаты работ Института физики полупроводников СО РАН по исследованию структуры полупроводниковых систем при различных технологических воздействиях. Рассмотрены дислокационная структура полупроводниковых кристаллов и пленок, атомная структура скоплений точечных дефектов в кремнии и германии, процессы структурных перестроек на ступенчатых поверхностях кремния. Полученные данные используются при разработке технологии создания новых материалов и устройств микро-, опто- и наноэлектроники, микро- и наноструктур для исследования квантовых и одноэлектронных эффектов. Заключительный раздел книги посвящен изложению актуальных проблем развития полупроводниковых нанотехнологий на основе имеющихся достижений в методах молекулярно-лучевой эпитаксии, в создании структур кремний-на-изоляторе и в методах нанолитографии.
Представляет интерес для специалистов по полупроводниковому материаловедению и полупроводниковой электронике — научных сотрудников, работников предприятий отрасли, студентов и аспирантов, обучающихся по соответствующим специальностям, в том числе по специальностям «Наноматериалы» и «Нанотехнологии в электронике».
Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

280 руб В корзину